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インスタントプラズマジェネレーター

インスタントプラズマジェネレーターで、RFソース波形のマイクロ秒レベルの制御を実現します。

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Prodrive Technologiesは、変動するプラズマ負荷条件に課題を抱えるソリッドステートおよびメカニカルマッチボックスを代替する技術を発表します。

インスタントプラズマジェネレーターは、原子スケールのプラズマエッチングおよびデポジション処理におけるプラズマ条件の制御を拡張します。高速パルシングとほぼ任意のエンベロープ制御により、正確な電力供給を維持しながら、ウェーハの点火と安定化をサポートします。

  • マッチボックスや周波数チューニングは不要

    可変コンポーネントや周波数チューニングなどの低速で不正確なマッチング技術の使用を排除します。

  • 周波数調整不要

    設置、セットアップ、マッチングの時間を節約できます。

  • マイクロ秒レベルの出力電力整定

    プラズマをほぼリアルタイム、マイクロ秒単位で制御します。

  • 高度な制御メカニズム

    ジェネレーターコントロールは、プラズマ負荷での使用に最適化されています。

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特徴

  • マイクロ秒レベルの波形制御
  • 統合型IVセンサー
  • ダイナミック高速(マルチレベル)パルシング
  • 複数の出力制御モード
  • プログラマブル(ロック)フェーズ
  • 共通励磁器同期(CEX)
  • EtherCAT
  • DCバイアス測定サポート
  • アーク管理サポート

メリット

  • プロセス制御の改善

    マイクロ秒レベルの制御により、プロセスの安定した稼働と最適な診断の提供を実現します。

  • システムの複雑さの軽減

    シングルボックスソリューションを使用することで、マッチボックス、マッチボックスコントローラー、およびその他の外部センサーを取り除きます。

  • プロセスドリフトを低減する

    統合センサーを備えた非常に高速で安定したRF生成により、プロセスドリフトを低減します。

  • システム効率の向上

    中間コンポーネントを減らして効率を最適化することで、システムの効率が向上します。

アプリケーション領域

マーケット&産業

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製品仕様

Application Plasma etching (ALE, conductor or dielectric), Plasma deposition (PVD, PECVD, PEALD) and Chamber Clean
Frequency 13.56MHz±10% or others
tperiod 10us - 1s (1-100kHz)
Multi-level pulse levels Infinite (fully arbitrary)
trise/tfall <2us
tsettling <4us
Power 1-5kW Delivered power
Control modes Power, Voltage, Current
AC input 208 to 480VAC 3ph VAC
Cooling Air cooled or water cooled
Communication interfaces Synchronization (CEX), EtherCAT, DeviceNet, Interlock
Configuration / Monitoring Ethernet (GUI), EtherCAT, DeviceNet
Advanced features Integrated IV sensor, High speed oscilloscope, Arc management, integrated DC blocking and DC bias measurement
Customization Customization is fully possible. Please contact us for further discussion.