水素整流器
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グリッドの安定性
非常に低いTHDi、無効電力制御、フォルトライドスルー、および系統規程を満たすための弱電力系統サポート
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コンパクトなフットプリント
産業環境におけるスペース効率の高い統合のために設計された高電力密度ソリューション
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スケーラビリティ
MWからGWスケールのプロジェクトまで柔軟なスケーリングを可能にするモジュラーアーキテクチャ
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高効率
フル動作範囲にわたって非常に高い効率を実現するSiCベースの整流器技術
Prodrive Technologiesでは、グリーン水素製造向けのSiCベース整流器を開発・製造しています。
SiC（炭化ケイ素）整流器は、高性能電力変換システムであり、大電力の交流（AC）を制御された直流（DC）電圧および電流に変換し、電解槽システムおよびグリーン水素製造に使用されます。
当社のSiCベース整流器は高い効率を実現し、IGBTおよびサイリスタ（SCR）技術を凌駕するパフォーマンスを発揮します。これにより、運用コストが削減され、kWhあたりの水素生産量の向上が可能となります。
さらに、極めて低い全高調波歪み（THDi）により、STATCOMや高調波フィルターなどの外部補償機器が不要となります。コンパクトな設置面積と標準的な変圧器要件との組み合わせにより、設備投資コスト（CAPEX）の削減と設置作業の簡素化を実現します。
製品
マーケット＆業界
よくある質問
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StatcomとFilterの設置が不要な理由は何ですか？
SiCテクノロジーの高いスイッチング周波数により、THDi（全高調波歪み）は非常に低く（<1%）なっています。
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なぜ他の技術（サイリスタ、IGBT）よりも設置コストが低いのですか？
フットプリントが小さいため、輸送コストおよび土木工事コストが低くなり、さらにstatcom/フィルターは使用する必要がないため、これらに関する土木工事コストも不要です。
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広い電圧範囲0～1500VDCの理由は何ですか？
電解槽の突入電流は、0Vからの立ち上がりを調整できるため低く抑えることができ、電解槽の寿命期間中に電圧を適応させ、必要に応じてBOL（寿命初期）およびEOL（寿命末期）電圧を設定することができます。タップチェンジャー付きの特殊なトランスは不要です。
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SiCテクノロジーは、なぜサイリスター/IGBTテクノロジーと比較して高い効率を持つのですか？
SiC MOSFET（炭化ケイ素金属酸化膜電界効果トランジスタ）は、スイッチング損失が低く（低いRdson / 低いテールゲート電流）
関連技術
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