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テーラードウェーブフォームジェネレーター - Axiom

エッチングおよび成膜プロセスにおけるプラズマイオンエネルギーと密度の独立制御のためのカスタマイズされたバイアス波形ジェネレータ。

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半導体デバイスの微細化が進む中、プラズマエッチングおよび成膜プロセスでは、イオンエネルギーとプラズマ密度のより厳密な制御が求められています。より小さなフィーチャーの実現と安定したプロセス性能の維持には、こうした制御が不可欠です。

Prodrive Technologiesは、エッチングおよび成膜アプリケーションにおける高度なプラズマバイアス制御を目的としたテーラードウェーブフォームジェネレーター「Axiom」を開発しました。このシステムは、より正確なプロセス制御をサポートするテーラードバイアス波形を実現するとともに、システムの複雑さの軽減にも貢献します。

  • 柔軟な波形制御

    デューティサイクル、電圧、スロープ、タイミングなどのすべての波形パラメータは、パルスの完全性を維持しながら変更することができます。

  • シングルボックスソリューション

    複数のサブシステムではなく、単一のボックスのみを制御し、低速で予測不可能なマッチボックスを排除します。

  • 高いシステム効率

    より低い電力で、より高いエッチングまたは成膜レートを実現します。

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特徴

  • フレキシブルデジタル波形制御
  • プログラム可能なデューティサイクル
  • 内蔵高速オシロスコープ
  • EtherCATインターフェース
  • コモン・エキサイター・インターフェース(CEX)
  • ON/OFFモジュレーション
  • マッチ箱は不要
  • 統合されたDCブロッキングコンデンサ

特典

  • プロセス制御の向上、ダメージの低減

    ウェーハダメージを低減しながら、波形パラメータを調整することで最適なIEDF制御を実現します。

  • システムの複雑さを軽減

    マッチボックス、マッチボックスコントローラー、その他の外部センサーを、シングルボックスソリューションに置き換えることで取り除きます。

  • プロセスのドリフトを低減する

    電極上で直接波形を制御することで、マッチボックスRFバイアスソリューションと比較してプロセスドリフトを低減できます。

  • システム効率の向上

    RFバイアスと比較して、エッチングレートと選択性が向上しています。

アプリケーション分野

マーケット&業界

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製品仕様

Application Plasma etching (ALE or conductor) and Plasma deposition (PVD, PECVD, PEALD)
Ion energy Up to 1500eV
Ion energy spread <8eV FWHM
AC input 85Vac – 265Vac
Vprocess 20 - 1500V
Vp-p Vprocess + Vslope 20 - 2000V
Islope >3A
tperiod 2.5 - 10 us (100kHz to 400kHz)
Configurable parameters Frequency, rise time, fall time, slope/current, process voltage, duty cycle
Cooling Air cooled or water cooled
Communication interfaces Synchronization (CEX), EtherCAT, DeviceNet, Interlock, I/O
Configuration / Monitoring Ethernet (GUI) / EtherCAT /DeviceNet
Advanced features Integrated voltage and current sensors, high speed oscilloscope, modulation, integrated DC blocking and multiple control modes
Customization Customization possible. Please contact us for further discussion.