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当今世界计算能力的需求正在高速增长。处理器和计算机是推进人工智能的关键，随着计算机和处理器的发展，集成电路正被推向极限。虽然半导体仍在基于3nm的逻辑点上运行，但更精确的技术正在孕育。
等离子蚀刻和沉积是图案转移制程的关键技术，对于生产更小尺寸的平板印刷物仍然至关重要。然而，这些工艺在如何实现高精度方面正面临日益增加的挑战。
降低系统的复杂性，降低能耗，优化蚀刻和沉积工艺将成为革命性的解决方案。
浦卓科技的射频等离子电源解决方案(定制偏置波形发生器)为芯片制造提供了无与伦比的解决方案或前所未有的精度和控制力。
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我们的定制化偏压波形发生器可以直接控制指向晶圆表面的离子能量，具有离子能量分布区很窄的优势。离子能量与离子通量解耦，为蚀刻速率控制提供了新的可能性，并通过具有挑战性的材料组合实现了高选择性。此外，由于不需要匹配网络并且在低频下运行，与传统射频发生器相比，该发生器可以降低能耗，减少碳排放和每片晶圆成本。
多功能性
Axiom定制的波形发生器是高度通用的，适用于沉积和蚀刻工艺，可以在整个能量范围内实现高精度控制。原子层蚀刻、原子层沉积和传统的反应离子蚀刻工艺都可以因此受益。通过将离子通量与离子能量解耦，可以在更高的离子能量下更好地控制蚀刻速率。低于7eV的窄离子能量分布区域保证了高选择性，即使是面对有挑战性的材料组合也同样可以保持这个优势。这类模块与使用远程(ICP / ECR)或直接(CCP)等离子体源的反应器兼容，使其对导电和介电材料层都有效。
此外，随模块一起交付的工具套件可以提供对该流程的直接监控。
可靠性
Axiom定制波形模块可以完全基于PCB来制造，几乎完全可以在具备自动质量控制系统和自动测试系统的自动化生产线上生产，最大限度地降低了人为错误的风险。一旦完成，它将符合SEMI标准。
目前风冷功能评估套件做好了集成到蚀刻和沉积工具中的准备，因此研发工程师可以测试这项技术在特定条件下的性能表现。该项技术也可以百分百地适用客户定制化的修改和调整。
一旦这些评估成功完成，工具制造商就可以使用定制波形发生器作为客户的差异化产品基础，并将其嵌入到后续的半导体制造过程中。在现有模块的基础上，需要进行定制化才能实现全尺寸生产。
通过完全定制化来满足特定的需求是非常可能的。
下载本 白皮书 ，深入了解我们的射频等离子电源解决方案是如何实现一致性和高产量的。
| Ion energy | Up to 1000eV |
| Ion current | Up to 700 mA |
| Input | External +400V / +24V Supply |
| Vprocess | 20 - 1500V |
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Vp-p Vprocess + Vslope |
20 - 2000V |
| Islope |
2.1A |
| Tperiod | 3.33 - 10 us |
| Ambient temperature | 15 to 35°C |
| Cooling | Air cooled |
| Enviroment | Laboratory / Controlled |
| Phase | Common exciter |
| Synchronization | Synchronization (CEX) |
| Configuration / Monitoring | Ethernet (Toolsuite) / EtherCAt |
| Enabling / Disabling | I/O |
| Customization is fully possible. Please contact us for further discussion. |
这个视频示意图展示了定制波形偏置是如何工作的。
电容耦合等离子体在越来越多的技术应用中被常规使用，其中需要精确控制影响边界表面离子通量的能量分布的数量和形状。通常情况下，需要可控能量的窄峰，例如，为了提高等离子体蚀刻的选择性，这在经典放电中无法实现的。我们将实验离子通量-能量分布测量和PIC/MCC模拟相结合，以深入了解由低频(100 kHz)脉冲和高频(27.12 MHz)信号组成的方形定制电压波形驱动的放电的操作和离子加速机制。观察到离子通量-能量分布具有狭窄的高能峰和在中间能量处离子通量的强烈降低。通过调节低频电压脉冲幅度和占空比，可以控制能量轴上的高能峰位置。深入分析了通过调整这些控制参数来定制驱动电压波形及其重复频率对等离子体运行和离子通量-能量分布的影响。我们发现，占空比(<40%或>60%)决定了高能离子是在接地电极形成还是在通电电极形成，并且脉冲的持续时间必须超过离子能量弛豫时间，大约在0.5 μs。
前往出版页面对于原子级等离子体加工，需要精确地控制等离子体离子的能量，包括精确的各向同性和选择性蚀刻和沉积。量身定制的波形已被用于偏压衬底表，以准确控制这种离子能量。最近的研究表明，开关模式功率变换器可用于生成这种波形，与传统使用的线性放大器相比，具有更高的能效和灵活性。本文提出了一种改进的等离子反应器等效电路模型，用于模拟和优化偏置波形。针对不同的过程阶段（包括充电、放电和放电后阶段）分析等效电路。该模型适用于电路仿真，可用于预测电流波形和离子能量分布。模型需要等离子体参数作为输入，因此引入了一种基于偏置电压和输出电流波形的电学测量的经验参数识别方法。由于这些电测量不与等离子体过程相互作用，所提出的参数识别方法是非侵入性的。实验结果表明，所提出的模型和参数辨识方法达到了预期的准确性。
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