彻底改变蚀刻和沉积的等离子体电源解决方案

对更多计算能力的需求不断增加。随着处理器和计算机变得更快——这对推进人工智能至关重要——集成电路（IC）正被推向极限。半导体行业目前在逻辑上以3纳米节点运行，但更小的技术即将出现，将我们带入Angstrom时代。

未来的器件将需要更小的关键尺寸（CD）、新材料的集成和3D器件架构，包括逻辑中的堆叠栅极环绕（GAA）结构和存储器中的3D-NAND器件。

在可预见的未来，等离子体蚀刻和沉积仍将是越来越小的光刻特征的图案转移的主要方法。这些等离子体工艺是半导体制造的关键步骤之一，但在满足更高精度的需求方面面临着越来越大的挑战。

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